METHOD OF ANALYSING QUANTUM EFFICIENCY OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ANALYSIS SYSTEM USING SAID METHOD

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: method involves providing an image of the semiconductor layer of a semiconductor light-emitting device, conversion of this image to a binary image, obtaining a Reni dimension Dq for degree q as a multifractal analysis parametre of the binary image, and determination of t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHMIDT NATALIJA MIKHAJLOVNA, LI KHIUN DZUNG, KIM BAE KIUN, BRUN'KOV PAVEL NIKOLAEVICH, CHERNJAKOV ANTON EVGEN'EVICH, KOLMAKOV ALEKSEJ GEORGIEVICH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FREQUENCY-CHANGING NON-LINEAR OPTICS OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS OPTICAL LOGIC ELEMENTS OPTICS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: method involves providing an image of the semiconductor layer of a semiconductor light-emitting device, conversion of this image to a binary image, obtaining a Reni dimension Dq for degree q as a multifractal analysis parametre of the binary image, and determination of the Reni dimension Dq as a quantum efficiency criterion for the semiconductor light-emitting device. ^ EFFECT: possibility of analysing quantum efficiency of a semiconductor device through objective quantitative evaluation of the crystalline state of the semiconductor layer of the said device. ^ 3 cl, 5 dwg Изобретение относится к измерительной технике. Способ включает в себя обеспечение изображения слоя полупроводника полупроводникового светоизлучающего прибора, преобразование этого изображения в двоичное изображение, получение размерности Реньи Dq для степени q в качестве параметра мультифрактального анализа двоичного изображения и определение размерности Реньи Dq в качестве критерия квантовой эффективности полупроводникового светоизлучающего прибора. Технический результат - возможность анализа квантовой эффективности полупроводникового прибора путем объективной количественной оценки кристаллического состояния слоя полупроводника полупроводникового светоизлучающего прибора. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.