INFRARED RADIATION SENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAID STRUCTURE

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: infrared radiation sensitive structure having a substrate whose top layer is made from CdTe, a 10 mcm thick working detector layer made from Hg1-xCdxTe, where x=xd=0.2-0.3, a 0.1-0.2 mcm thick insulating layer made from CdTe, and a top conducting layer with thickness of approximately 0.5 mcm also has a 0.5-6.0 mcm thick lower variband layer between the substrate and the detector layer, where the said variband layer is made from Hg1-xCdxTe, where the value of x gradually falls from a value in the range of 1-(xd+0.1) to a value xd, between the working detector layer and the insulating layer, a top variband layer with thickness of 0.03-1.00 mcm made from Hg1-xCdxTe where the value of x gradually increases from a value xd to a value in the range of 1-(xd+0.1), and dielectric layers between the insulating layer and the top conducting layer. Disclosed also is a method of making the said structure. ^ EFFECT: possibility of making a highly stable infrared sensitive structure with broad functional capabilities. ^ 12 cl, 1 dwg Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изготовленный из CdTe, и верхний проводящий слой толщиной порядка 0,5 мкм, дополнительно введены расположенный между подложкой и детекторным слоем нижний варизонный слой толщиной 0,5-6,0 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение х плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах 1-(xд+0,1), до значения xд, расположенный между рабочим детекторным слоем и изолирующим слоем верхний варизонный слой толщиной 0,03-1,00 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения хд до значения, находящегося в пределах 1-(хд+0,1), и диэлектрические слои, расположенные между изолирующим слоем и верхним проводящим слоем. Также предложен способ изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность создания высокостабильной фоточувствительной к ИК-излучению структуры с расширенными функциональными возможностями. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.