METHOD OF REINFORCEMENT ADDITIVE CONCENTRATION DETERMINATION IN SEMICONDUCTORS

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: method involves selection of work range of electrode potentials: in anode area it is potential at which surge of current specified by dissolution reaction in subsurface semiconductor layer starts; in cathode it is potential at which electropuncture of semiconductor-electrolyte border occurs. Electrode potential, high-frequency differential capacitance of semiconductor-electrolyte system and polarisation current are measured. ^ EFFECT: improved measurement reliability, extended range of subsurface sample layer depth where reinforcement additive concentration can be determined. ^ 3 cl, 6 dwg, 3 ex Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля профиля легирования в полупроводниках. Технический результат - повышение достоверности измерений и расширение диапазона глубин приповерхностного слоя образца, в которых определяется концентрация легирующей примеси. Достигается выбором рабочего диапазона электродных потенциалов: в анодной области - потенциал, при котором начинается резкое возрастание тока, обусловленного реакцией растворения приповерхностного слоя полупроводника, в катодной области - потенциал, при котором происходит электрический пробой границы полупроводник-электролит. При этом измеряют электродный потенциал, высокочастотную дифференциальной емкости системы полупроводник-электролит и ток поляризации. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.