INTEGRAL ELECTROMAGNETIC TRANSDUCER BUILT AROUND BIPOLAR MAGNETIC TRANSISTOR

FIELD: electrical engineering. ^ SUBSTANCE: proposed transducer built around bipolar magnetic transistor on monocrystal silicon substrate consists of two-collector lateral bipolar magnetic transistor and collector load resistors, and base and pocket bias. The ratio between transducer emitter and collector electrode sizes and the distance there between exceeds three. Collectors are connected via resistors with contact pad of power supply pole and with contacts of base area. Bias current is set to flow to the pocket via resistor connected to the same contact pad of one pole of power supply. Contacts and emitter are connected electrically to feed potential from contact pad of the second pole of power supply. Resistors are incorporated with the transducer. ^ EFFECT: reduced initial voltage difference without magnetic field and smaller measurement errors ^ 9 dwg Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора на монокристаллической подложке кремния состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора и сопротивлений нагрузки коллекторов, смещения базы и кармана. В токомагнитном датчике размеры электродов эмиттера и коллекторов имеют отношение к расстоянию между ними более трех единиц, коллекторы соединяются через сопротивления с контактной площадкой одного полюса источника напряжения питания и с контактами к базовой области, ток смещения задается через контакты к карману через сопротивление, подключенное к той же контактной площадке одного полюса источника напряжения питания, контакты к подложке и эмиттер соединены электрически с подачей потенциала от контактной площадки второго полюса источника напряжения питания, сопротивления выполнены в составе датчика. Техническим результатом изобретения является уменьшение начального разбаланса - разницы напряжения на коллекторах двухколлекторного латерального магнитотранзистора при отсутствии магнитного поля - и уменьшение погрешности измерений, возникающей из-за невоспроизводимого начального разбаланса напряжения коллекторов биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора. 9 ил.