DETECTOR OF IONISING RADIATIONS

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: in solid-state detector of ionising radiations, comprising semiconductor substrate with ohm contact to its rear side, with semiconductor layer arranged on its front side as isotopic to substrate, with semiconductor high-ohm layer arranged on this layer, with a layer of conductivity type that is opposite to substrate arranged on high-ohm layer and contact layer arranged on the latter, - besides the last two layers are arranged in the form of galvanically non-related areas, - additionally a microstructured layer of diamond C* is added as weakly alloyed with acceptors and arranged on above mentioned contact layer, and the second contact layer arranged on face side of specified diamond microstructured layer. ^ EFFECT: improves sensitivity of detector. ^ 3 dwg Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем противоположного подложке типа проводимости и расположенным на последнем контактным слоем, причем последние два слоя выполнены в виде гальванически не связанных областей, дополнительно вводят микроструктурированный слой из алмаза С*, слаболегированный акцепторами, расположенный на упомянутом выше контактном слое, и второй контактный слой, расположенный на лицевой стороне упомянутого алмазного микроструктурированного слоя. Технический результат - повышение чувствительности детектора. 3 ил.