LIGHT-EMITTING DIODE (VERSIONS)

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: light-emitting diode (LED) has a substrate made from monocrystalline dielectric diamond with a layer of monocrystalline diamond with p-type conductivity on its surface. In the layer of diamond with p-type conductivity there can be either a rectangular element, containing two heavily doped regions with the same type of conductivity at opposite sides of the element, and a heavily doped region with opposite conductivity in between and separated by regions of the diamond with p-type conductivity with equal length, where on the surface of the heavily doped regions with both type of conductivity, there are metallic contact electrodes; or there is a line of alternating regions of heavily doped diamond with first and second type conductivity, separated by regions of diamond with p-type conductivity, all regions of the diamond with p-type conductivity have equal length, and the first and last heavily doped regions have the same type of conductivity; or there is a ring system with axial symmetry of alternating regions of heavily doped diamond with first and second type conductivity, separated by regions of diamond with p-type conductivity, where the radius of each next ring pair, consisting of p-type diamond regions and heavily doped regions with first or second type of conductivity, differs from the radius of the previous ring pair by a value which is a multiple of the square root of the given wavelength. ^ EFFECT: high intensity of light-emmiting diode. ^ 4 cl, 1 ex, 5 dwg, 1 tbl Изобретение может быть использовано в оптоэлектронике, автоматике, микросистемной технике и других областях. Светоизлучающий диод (СИД) содержит подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, при этом в слое алмаза р-типа проводимости может быть либо сформирован прямоугольный элемент, содержащий две сильнолегированные области одинакового типа проводимости у противолежащих сторон элемента, и расположенную между ними и отделенную от них равными по длине областями алмаза р-типа сильнолегированную область противоположного типа проводимости, причем на поверхности сильнолегированных областей обоих типов проводимости сформированы металлические контактные электроды; либо сформирована линейка чередующихся областей сильнолегированного алмаза первого и второго типа проводимости, разделенных областями алмаза р-типа, все области алмаза р-типа проводимости имеют одинаковую дли