METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR CRYSTALS OF AIIBVI TYPE

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: method is carried out by method of vertically directed crystallization in quartz ampoule with internal coating from alternating layers -SiO2 and -SiO1.5:Cn, where n=1.04.0, in bottom part of ampoule there is hole arranged with diametre of 3-5 mm by all height of coating layer, and quartz bottom surface of ampoule without coating is preliminarily activated with hydrofluoric acid. ^ EFFECT: improved yield of single-crystal part in ingots. ^ 4 cl, 7 ex, 1 tbl Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения полупроводниковых кристаллов из расплавов для создания структурно-совершенных монокристаллических подложек, и может быть использовано при формировании эпитаксиальных структур и приготовлении рабочих тел электрооптических модуляторов, работающих в ИК-области спектра. Способ осуществляют методом вертикально-направленной кристаллизации в кварцевой ампуле с внутренним покрытием из чередующихся слоев α-SiO2 и α-SiO1.5:Cn, где n=1,0÷4,0, в донной части ампулы в покрытии выполнено отверстие диаметром 3-5 мм на всю высоту слоя покрытия, а кварцевую донную поверхность ампулы без покрытия предварительно активируют плавиковой кислотой. Техническим результатом изобретения является увеличение выхода монокристаллической части в слитках. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.