FLASH MEMORY ELEMENT OF ELECTRICALLY ALTERABLE READ-ONLY MEMORY

FIELD: physics, computer engineering. ^ SUBSTANCE: invention is related to computer engineering. Flash element of electrically alterable read-only memory is designed for storage of information in case of disconnected power supply. On semiconductor substrate between source and drain there are tunnel layer, additional tunnel layer, memorising layer, blocking layer and gate. Besides additional tunnel and blocking layers are made of material with high value of dielectric permeability, from 5 to 2000, exceeding dielectric permeability of tunnel layer material (made of SiO2). Memorising layer is made in the form of conducting nanoclusters matrix with size from 1.0 to 50 nm. ^ EFFECT: reduced effect of conducting pores in tunnel oxide at charge storage, increase of memory window (up to 7 V), possibility to inject positive and negative charge, reduced time (down to 10-7 s) for recording / erasure of information, increased time for information storage (up to 12 years). ^ 9 cl, 1 dwg Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке между истоком и стоком выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя (выполненного из SiO2). Запоминающий слой выполнен в виде матрицы проводящих нанокластеров размером от 1,0 до 50 нм. В результате обеспечивается: уменьшение влияния проводящих пор в туннельном оксиде на хранение заряда, увеличение окна памяти (до 7 В), возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени (до 10-7 с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 8 з.п. ф-лы, 1 ил.