AMPLIFIER-CONVERTOR

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: invention concerns the vacuum emission technics and can be used at construction of products and devices of vacuum electronics, microwave frequency and microwave electronics, systems of visualisation of the information (screens of flat displays), lighting systems. An amplifier-converter design in structure: the autoemission cathode on the basis of carbon nanostructure materials, for example, carbon nanotubes; grids on the basis of multicoherent (in that specific case the mesh shape) monocrystal, or a polycrystalline diamond film; a collector of electrons, executed or in the form of multilayered film structure from a transparent for light layer of indium oxide - tin oxide, a luminescing layer (CdS, ZnS, P) and a submicronic layer of aluminium, transparent for a beam of electrones, or in the form of a continuous conducting electrode - depending on functional use of the device. ^ EFFECT: degradation stability - by means of use of autoemitters from CNT (low values of a threshold field and high mechanical durability); high spatial permission - by means of micron scale of meshes of a grid (multicoherent layer); dilation of a temperature range and radiation damage stability increase - by means of a choice as base substances of carbon nanotubes and diamond films. ^ 6 cl, 14 dwg Изобретение относится к вакуумной эмиссионной технике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, СВЧ и микроволновой электроники, систем визуализации информации (экраны плоских дисплеев), осветительных систем. Конструкция усилителя-преобразователя в составе: автоэмиссионного катода на основе углеродных наноструктурированных материалов, например углеродных нанотрубок; сетки на основе многосвязной (в частном случае сетчатой формы) монокристаллической, либо поликристаллической алмазной пленки; коллектора электронов, выполненного либо в виде многослойной пленочной структуры из прозрачного для света слоя оксида индия-оксида олова, люминесцирующего слоя (CdS, ZnS, P) и субмикронного слоя алюминия, прозрачного для электронов пучка, либо в виде сплошного проводящего электрода - в зависимости от функционального использования прибора. В предлагаемом изобретении обеспечиваются: деградационная стойкость - посредством использования автоэмиттеров из УНТ (низкие значения пороговых полей и высокая механическая прочность); высокое пространственное разрешение - посредством микронного масштаба ячеек сетки (многосвязного слоя); расширени