METHOD OF OBTAINING THIN-FILM OXIDE MATERIAL ALLOYED WITH FERROMAGNETIC METAL IONS FOR SPINTRONICS
FIELD: production processes; electronics. ^ SUBSTANCE: invention refers to obtaining thin films of materials that can be used in devices of systems of semi-conducting spin electronics. Method of obtaining thin-film oxide material alloyed with ferromagnetic metal ions involves spraying of precursor o...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: production processes; electronics. ^ SUBSTANCE: invention refers to obtaining thin films of materials that can be used in devices of systems of semi-conducting spin electronics. Method of obtaining thin-film oxide material alloyed with ferromagnetic metal ions involves spraying of precursor on the carrier in low-density atmosphere at high temperatures. Spraying is carried out by evaporating initial granular powder alloyed with europium oxide iron (II) with particle size of 0.2-0.3 mm in vacuum (15)10-5 torr when it is supplied to evaporator heated up to 2500-3000C with velocity of 1-10 mg/s, at that, the carrier is located above evaporator at the distance of 8-12 cm. ^ EFFECT: obtaining thin film of semi-conducting spintron material with high degree of magnetisation and capable of being a spin ejector in devices of semi-conducting spin electronics at indoor temperature and temperature higher than the indoor one. ^ 4 dwg, 1 tbl, 2 ex
Изобретение относится к области получения тонких пленок материалов, которые могут быть использованы в устройствах систем полупроводниковой спиновой электроники. Способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, включает распыление прекурсора на подложку в разряженной атмосфере при высоких температурах. Распыление осуществляют путем испарения исходного сыпучего порошка, легированного железом оксида европия (II) фракции 0,2-0,3 мм, в вакууме (1÷5)·10-5 Торр при подаче его на раскаленный до 2500-3000°С испаритель со скоростью 1-10 мг/с, при этом подложку располагают над испарителем на расстоянии 8-12 см. Изобретение позволяет получить тонкие пленки полупроводникового спинтронного материала, обладающего высокой степенью намагниченности и способного являться спиновым инжектором в устройствах полупроводниковой спиновой электроники при комнатной и выше комнатной температурах. 4 ил., 1 табл. |
---|