METHOD OF CHARGE RECEIVING FOR MANUFACTURING OF SILICON-CARBIDE CERAMICS BY MEANS OF SOLID-PHASE SINTERING

FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: invention relates to powder metallurgy, particularly to manufacturing of silicon-carbide ceramic by solid-phase sintering. Method includes blending in a flow of nitrogenous plasma at temperature higher 5400 K silicon and boron classified flour and gas hydrocarbons in mole ratio of silicon and carbon 1:(1.2-1.4), silicon and boron 1 :(0.06-0.08), its interaction, cooling at a rate (0.8-1.2)105 grad/s and following treatment at boiling by solutions of sodium hydroxide of concentration higher 20% and hydrochloric acid of concentration higher 30%. ^ EFFECT: invention provides receiving of charge homogeneous by chemical and phase content, with dispersity level and surface condition competent to required for charge during manufacturing of silicon-carbide ceramic by means of solid-phase sintering. ^ 6 ex, 1 tbl Изобретение относится к порошковой металлургии, а именно к производству карбидокремниевой керамики твердофазным спеканием. Способ включает смешивание в потоке азотной плазмы при температуре выше 5400 К микропорошков кремния и бора и газообразного углеводорода в мольном соотношении кремния и углерода 1:(1,2-1,4), кремния и бора 1:(0,06-0,08), их взаимодействие, охлаждение со скоростью (0,8-1,2)·105 град/с и последующую обработку при кипячении растворами гидроксида натрия концентрации выше 20% и соляной кислоты концентрации выше 30%. Изобретение позволяет получать шихту, однородную по химическому и фазовому составам, с уровнем дисперсности и состоянием поверхности, отвечающими требованиям, предъявляемым к шихте при производстве карбидокремниевой керамики твердофазным спеканием. 1 табл.