FIELD TRANSISTOR

FIELD: physics, radio. ^ SUBSTANCE: invention is to find application in microelectronics. Concept of the invention is as follows: the proposed field transistor is composed of a source electrode, a drain electrode, a gate insulator, a gate electrode and an effective layer; the effective layer contains an amorphous oxide with an electronic media concentration less than 1018/cm3 and the electronic mobility increasing proportional to the electronic media concentration. Of the source, drain and gate electrodes at least one is visual light translucent with the current flowing between the source and the drain electrodes never exceeding 10 mA unless there is a voltage applied to the gate electrode. ^ EFFECT: development of a transistor enabling improvement of at least one of the following properties: translucency, thin film transistor electrical properties, gate insulation film properties, leakage current prevention and adhesiveness between the effective layer and the substrate. ^ 21 cl, 12 dwg Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей. По меньшей мере, один из электрода истока, электрода стока и электрода затвора является прозрачным для видимого света, при этом ток, протекающий между электродом истока и электродом стока, если к электроду затвора не приложено напряжение, не превышает 10 микроампер. Транзисторы согласно изобретению обладают улучшенными характеристиками в отношении, по меньшей мере, одного из свойств: прозрачность, электрические свойства тонкопленочного транзистора, свойства пленки, изолирующей затвор, предотвращение тока утечки и адгезивность между активным слоем и подложкой. 9 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.