PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES

FIELD: mechanics. ^ SUBSTANCE: proposed plant comprises a vacuum chamber, carriage with rotation mechanism, heater with a substrate, ion gun, crystal growth control systems and those to produce and maintain ultrahigh vacuum. Note that it additionally comprises a device arranged aligned with the said...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH, GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH, BILALOV BILAL ARUGOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH
GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH
BILALOV BILAL ARUGOVICH
description FIELD: mechanics. ^ SUBSTANCE: proposed plant comprises a vacuum chamber, carriage with rotation mechanism, heater with a substrate, ion gun, crystal growth control systems and those to produce and maintain ultrahigh vacuum. Note that it additionally comprises a device arranged aligned with the said ion gun and heater with substrate and incorporating a fixed screen with one hole, separator with one hole running on the axle linked up with its rotation mechanism, as well as tapered detachable target holder with lengthwise slot and with its inner surface supporting the targets fixed thereto. Fixed tapered screen with lengthwise slot and one hole is arranged coaxially with the target holder, the screen inner surface being provided with a replaceable gasket. Note that the holes in the screen, target holder and mask are arranged at equal distance from the axis of rotation of separator. ^ EFFECT: perfected design of device to produce multi-layered structures using ion gun. ^ 3 dwg Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена сменной прокладкой, причем отверстия в экране, держателе мишеней и маске находятся на одинаковом расстоянии от оси вращения сепаратора. 3 ил.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2353999C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2353999C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2353999C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFAP8HH0C1EI8VcICPJ3CXV2VfAN9Qnx1PVxjHQNUggOCQp1DgkNcg3mYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGxqbGlpaWzobGRCgBAMOEI_s</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES</title><source>esp@cenet</source><creator>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH ; GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH ; BILALOV BILAL ARUGOVICH</creator><creatorcontrib>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH ; GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH ; BILALOV BILAL ARUGOVICH</creatorcontrib><description>FIELD: mechanics. ^ SUBSTANCE: proposed plant comprises a vacuum chamber, carriage with rotation mechanism, heater with a substrate, ion gun, crystal growth control systems and those to produce and maintain ultrahigh vacuum. Note that it additionally comprises a device arranged aligned with the said ion gun and heater with substrate and incorporating a fixed screen with one hole, separator with one hole running on the axle linked up with its rotation mechanism, as well as tapered detachable target holder with lengthwise slot and with its inner surface supporting the targets fixed thereto. Fixed tapered screen with lengthwise slot and one hole is arranged coaxially with the target holder, the screen inner surface being provided with a replaceable gasket. Note that the holes in the screen, target holder and mask are arranged at equal distance from the axis of rotation of separator. ^ EFFECT: perfected design of device to produce multi-layered structures using ion gun. ^ 3 dwg Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена сменной прокладкой, причем отверстия в экране, держателе мишеней и маске находятся на одинаковом расстоянии от оси вращения сепаратора. 3 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090427&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2353999C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090427&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2353999C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BILALOV BILAL ARUGOVICH</creatorcontrib><title>PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES</title><description>FIELD: mechanics. ^ SUBSTANCE: proposed plant comprises a vacuum chamber, carriage with rotation mechanism, heater with a substrate, ion gun, crystal growth control systems and those to produce and maintain ultrahigh vacuum. Note that it additionally comprises a device arranged aligned with the said ion gun and heater with substrate and incorporating a fixed screen with one hole, separator with one hole running on the axle linked up with its rotation mechanism, as well as tapered detachable target holder with lengthwise slot and with its inner surface supporting the targets fixed thereto. Fixed tapered screen with lengthwise slot and one hole is arranged coaxially with the target holder, the screen inner surface being provided with a replaceable gasket. Note that the holes in the screen, target holder and mask are arranged at equal distance from the axis of rotation of separator. ^ EFFECT: perfected design of device to produce multi-layered structures using ion gun. ^ 3 dwg Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена сменной прокладкой, причем отверстия в экране, держателе мишеней и маске находятся на одинаковом расстоянии от оси вращения сепаратора. 3 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFAP8HH0C1EI8VcICPJ3CXV2VfAN9Qnx1PVxjHQNUggOCQp1DgkNcg3mYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGxqbGlpaWzobGRCgBAMOEI_s</recordid><startdate>20090427</startdate><enddate>20090427</enddate><creator>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH</creator><creator>GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH</creator><creator>BILALOV BILAL ARUGOVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20090427</creationdate><title>PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES</title><author>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH ; GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH ; BILALOV BILAL ARUGOVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2353999C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2009</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BILALOV BILAL ARUGOVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SAFARALIEV GADZHIMET KERIMOVICH</au><au>GITIKCHIEV MAGOMED AKHMEDOVICH</au><au>BILALOV BILAL ARUGOVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES</title><date>2009-04-27</date><risdate>2009</risdate><abstract>FIELD: mechanics. ^ SUBSTANCE: proposed plant comprises a vacuum chamber, carriage with rotation mechanism, heater with a substrate, ion gun, crystal growth control systems and those to produce and maintain ultrahigh vacuum. Note that it additionally comprises a device arranged aligned with the said ion gun and heater with substrate and incorporating a fixed screen with one hole, separator with one hole running on the axle linked up with its rotation mechanism, as well as tapered detachable target holder with lengthwise slot and with its inner surface supporting the targets fixed thereto. Fixed tapered screen with lengthwise slot and one hole is arranged coaxially with the target holder, the screen inner surface being provided with a replaceable gasket. Note that the holes in the screen, target holder and mask are arranged at equal distance from the axis of rotation of separator. ^ EFFECT: perfected design of device to produce multi-layered structures using ion gun. ^ 3 dwg Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена сменной прокладкой, причем отверстия в экране, держателе мишеней и маске находятся на одинаковом расстоянии от оси вращения сепаратора. 3 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2353999C1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title PLANT TO PRODUCE MULTI-LAYER STRUCTURES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-09T12%3A45%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SAFARALIEV%20GADZHIMET%20KERIMOVICH&rft.date=2009-04-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2353999C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true