PROCESS FOR PRODUCING JUNCTION-GATE STATIC INDUCTION TRANSISTORS

Prezenta inventie se refera la un procedeu de obtinere a structurii tranzistorului cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa pentru tensiuni si puteri mari, utilizat în domenil microundelor. Procedeul, conform inventiei, consta într-o serie de operatii clasice pentru transzistorul cu inductie statica, precum oxidari termice, depuneri chimice din faza de vapori, epitaxie, difuzii, fotolitografii, metalizari etc, iar în scopul obtinerii de tensiuni de strapungere si puteri mari prevede ca difuzia retelei jonctiunilor de poarta sa se efectueze dintr-un strat de bioxid de siliciu dopat cu bor depus pe sandvichul dielectric format din bioxid de siliciu si nitrura de siliciu, realizat prin procese cunoscute la suprafata plachetei de siliciu în stratul de siliciu mmonocristalin n - crescut selectiv în jurul sandvichului dielectric si simultan cu cresterea stratului de oxid, la suprafata siliciului monocristalin, iar corodarea puturilor retelei de porti retrase sa fie realizata prin corodarea chimica conventionala a bioxidului de siliciu dopat cu bor prin ariile de poarta.