PROCESS FOR MONOLITH INTEGRATION OF JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Prezenta inventie se refera la un procedeu de integrare monolitica a tranzistoarelor cu efect de câmp cu jonctiune, cu canal n. Procedeul conform inventiei, consta în realizarea consecutiva prin implantare ionica a sursei locale de difuzie pentru insula îngropata si a sursei locale de difuzie pentru izolare, astfel încât concentratia la suprafataîn sursa locala de difuzie sa fie mica, iar în sursa locala pentru izolare sa fie mare, mascarea fata de implantarea pentru sursa locala efectuându-se prin utilizarea peliculei de fotorezist pastrata dupa procesul de deschidere a ferestrelor, tratamentul de revenire a retelei dupa implantare cu rol si de accentuare a marcarii contururilor insulelor îngropate efectuându-se o singura data pentru ambele implantari, iar difuziile pentru realizarea insulelor îngropate si a izolarii având loc simultan, în timpul procesului de crestere a oxidului initial.