PROCESS FOR MAKING THE STRUCTURE OF JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Prezenta inventie se refera la un procedeu de realizare a structurii tranzistorului cu efect de câmp cu jonctiune cu canal n. Procedeul, conform inventiei consta în obtinerea sursei locale de bor pentru izolare din strat îngropat, realizat prin implantare ionica, înainte de cresterea stratului epitaxial activ si a difuziei de izolare, în acelasi timp cu cresterea oxidului de mascare, la temperatura medie, procesele termice ulterioare, de realizare a sursei si drenei, executându-se la temperaturi scazute.