PROCESS FOR PREPARING THIN FILMS WITH SILICON NITRIDE CONTENT ON FLEXIBLE SUBSTRATES

The invention relates to a process for obtaining thin films with a content of amorphous stoichiometric and non-stoichiometric silicon nitride, in high vacuum conditions, on flexible temperature-sensitive substrates to be used in microelectronics and for generating energy, as anti-reflective protective layer. According to the invention, the process consists in the pre-preparation of the vacuum precinct and the use of a plasma source Thermionic Vacuum Arc for Compounds, so as to obtain an advanced vacuum of 3 x 10mbar at the most, followed by the injection of Nin controlled flow, in the range of 0.5 ... 2.5 sccm, resulting in a localized Si + Nplasma which does not come into direct contact with the substrate. Invenţia se referă la un procedeu de obţinere în condiţii de vid înalt a unor filme subţiri cu conţinut de nitrură de siliciu stoichiometrică şi non-stoichiometrică amorfă pe substraturi flexibile şi sensibile la temperatură cu utilizare în microelectronică şi generarea de energie ca strat protector antireflex. Procedeul conform invenţiei constă în pregătirea prealabilă a incintei de vid şi utilizarea sursei de plasmă Arc Termoionic în Vid pentru Compuşi, astfel încât să se obţină un vid înaintat de cel mult 3 x 10mbar, urmată de injectarea de Nîn flux controlat, în intervalul 0,5...2,5 sccm, rezultând o plasmă de Si + Nlocalizată, care nu intră în contact direct cu substratul.