PROCESS FOR MAKING FIELD-EMISSION PRESSURE SENSOR

The invention relates to a process for making a pressure sensor based on the principle of a field-emission micro triode the emission current of which is stabilized by means of a field-effect transistor. According to the invention, the process comprises the following stages: cleaning a silicon wafer, applying a silicon oxide layer on the wafer surface by plasma-enhanced chemical vapour deposition, then applying a chrome/gold layer by cathode sputtering, with a double role: of mask for silicon micro-processing and of allowing the graphene gate to be electrically contacted, making some circular windows of 7 μ m in diameter, by photoengraving, penetrating both the metal layer and the oxide layer, nano-structuring the silicon surface using a modified cryogenic corrosion process in order to obtain the form known as silicon grass or black silicon, followed by deposition of an aluminium film on the wafer back for contacting the cathode and, finally, transferring the single-layer graphene grown by chemical vapour deposition (CVD) onto the orifices in which black silicon was grown. Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unui senzor de presiune pe principiul unei microtriode cu emisie în câmp, al cărui curent de emisie este stabilizat prin intermediul unui tranzistor cu efect de câmp. Procedeul conform invenţiei cuprinde etapele de curăţare a unei plachete de siliciu, depunere a unui strat de oxid de siliciu pe suprafaţa plachetei prin depunere chimică în fază de vapori asistată de plasmă, depunere a unui strat de crom/aur prin pulverizare catodică, stratul având dublu rol: este mască pentru microprelucrarea siliciului şi permite contactarea electrică a porţii de grafenă, deschidere a unor ferestre circulare cu diametru de 7 μ m, prin fotogravură, penetrând atât stratul de metal, cât şi pe cel de oxid, nanostructurare a suprafeţei siliciului folosind un proces modificat de corodare criogenică pentru a obţine forma cunoscută sub denumirea de "silicon grass" sau siliciu negru, depunere, pe spatele plachetei a unui film de aluminu pentru contactarea catodului şi, în cele din urmă, transferare a grafenei monostrat crescute prin depunere chimică din fază de vapori (CVD) peste orificiile în care a fost crescut siliciu negru.