PROCESS FOR MAKING SELF-ASSEMBLED FILMS

The invention relates to a process for making self-assembled films, with applications in electronics industry. According to the invention, the process consists in that, in a first stage, a graphite substrate is subjected to oxidation with a sulphonitric mixture and an oxidation accelerator, to result in the graphite oxide which is, in the second stage, subjected to ultrasonication in dipolar aprotic solvents for 1...5h, to result in graphene oxide which, during the third stage, is reduced with sodium borohydride, after which, in the fourth stage, the resulting graphene oxide sol is heated to the temperature of 50° C, for 1...3 h, to finally result in self-assembled films of controlled thickness in the range of 0.1...2 μm. Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor filme auto-asamblate, cu aplicaţii în industria electronică. Procedeul conform invenţiei constă în aceea că, în prima etapă, un substrat grafitic se supune oxidării cu un amestec sulfonitric şi un accelerator de oxidare, rezultând oxidul de grafit care, în a doua etapă, este supus ultrasonării în solvenţi aprotici dipolari timp de 1...5 h, din care rezultă oxid de grafenă care, în etapa a treia, este redus cu borohidrură de sodiu, după care, în etapa a patra, solul de oxid de grafenă rezultat se încălzeşte la temperatura de 50°C timp de 1...3 h, formând filme auto-asamblate cu grosime controlată, cuprinsă între 0,1 şi 2 μm.