PROCESS FOR MANUFACTURING HEAT RESISTANT BRAKE PADS OF SILICON NITRIDE

The invention relates to a process for manufacturing heat resistant brake pads of silicon nitride. According to the invention, the process consists in introducing the silicon powder with a grain size < 63 μ m into the die cavity, pre-compacting the silicon powder up to a porosity of P=60%, heating the die by means of the induction system consisting of a coil and a high frequency generator having as working parameters a voltage U= 500V and a frequency of 7500 Hz, the temperature of the material within the die is raised up to the plateau temperature T= 1000°C in a nitrogen protected atmosphere, the nitrogen being blown through the orifices which are provided in the lower punch, with a pressure P, so that a nitrogen flow rate Qnecessary to initiate the silicon nitriding reaction passes through the material, the temperature of the processed material is raised to a temperature T=1450°C in order to perform the bilateral compaction with a pressure P, with nitrogen blow at a pressure P, so that a flow rate Qnecessary to finish the silicon nitriding process is maintained inside the die, after which the pad is extracted from the die and it is subjected to a tempering heat treatment for a period t= 1.5 h, at a temperature T= 900°C. Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a plăcuţelor de frână termorezistente, din nitrură de siliciu. Procedeul conform invenţiei constă în introducerea în cavitatea matriţei a pulberii de siliciu cu granulaţia < 63 μ m, precompactarea pulberii de siliciu până la o porozitate de P = 60%, încălzirea matriţei cu ajutorul sistemului inductiv format dintr-o bobină şi un generator de înaltă frecvenţă, având ca parametrii de lucru tensiunea U = 500 V şi frecvenţa de 7500 Hz, se ridică temperatura materialului din matriţă până la palierul de T = 1000°C, într-o atmosferă protejată de azot insuflat cu presiunea Pprin orificiile cu care este prevăzut poansonul inferior, astfel încât materialul să fie străbătut de un debit de azot Qnecesar începerii reacţiei de nitrurare a siliciului, se ridică temperatura materialului procesat la T = 1450°C, pentru a se efectua compactarea bilaterală cu o presiune Pcu insuflarea de azot la presiunea P, astfel încât să fie menţinut în incinta matriţei un debit Qnecesar finalizării procesului de nitrurare a siliciului, după care se extrage plăcuţa din matriţă şi se supune unui tratament termic de detensionare timp de t= 1,5 h la o temperatură de T= 900°C.