PROCESS FOR PREPARING MATERIALS IN CHALCOGENIDE SYSTEMS ASS-EUSAND ASS-ERSFOR THIN LAYER DEPOSITION USING PLD METHOD

The invention relates to a process for preparing materials in chalcogenide systems AsS-EuSand AsS-ErSwith a view to using them as targets for thin layer deposition using the PLD method and for producing, in the electronics industry, devices emitting in the visible or infrared range , as well as for converting energy from the IR range into the VIS range. According to the invention, the process consists in preparing Asby co-precipitation in the Euand Ersynthesis stage, at the temperature of 80°C, washing the resulting precipitate with deionized water up to a neutral pH value, drying the same in an oven, at 100°C, for 24 h, and, after obtaining the precipitate powders, pouring them into quartz vials having an internal diameter of 14 mm which are introduced into a pure spectral graphite susceptor boat of in inductive heating installation for a heat treatment of the powders at a temperature of 491°C, for 192 min, in a 99.999%-pure Ar-controlled atmosphere, at a pressure of 1.1 atm. Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a materialelor în sistemele calcogenice AsS-EuSşi AsS-ErS, în scopul utilizării lor ca ţinte pentru depunerea de straturi subţiri prin metoda PLD şi pentru producerea, în cadrul industriei electronice, a unor dispozitive cu emisie în spectru vizibil sau infraroşu, precum şi pentru conversia energiei din domeniul IR în domeniul VIS. Procedeul conform invenţiei constă în obţinerea Asprin coprecipitarea în faza de sinteză a Euşi Erla temperatura de 80°C, spălarea precipitatului obţinut cu apă deionizată până laH neutru, uscarea acestuia într-o etuvă la 100°C, timp de 24 h, obţinerea pulberilor de precipitat, încărcarea pulberilor în fiole de cuarţ cu diametrul interior de 14 mm, care sunt introduse într-o nacelă susceptoare din grafit spectral pur, a unei instalaţii cu încălzire inductivă, pentru realizarea unui tratament termic al pulberilor la o temperatură de 491°C, timp de 192 min, într-o atmosferă controlată de Ar cu puritate de 99,999%, la o presiune de 1,1 atm.