METHOD FOR CONTROLLING THE MONOCELLULAR AND PLURICELLULAR THREE-PHASE VOLTAGE CONVERTERS

The invention relates to a method for controlling the monocellular and pluricellular three-phase voltage converters, with the impulse discontinuous modulation in time, said method consisting in a first stage when, for a period of the reference voltage, there are defined 12 areas each having 30°el..,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: FLORICĂU DAN
Format: Patent
Sprache:eng ; rum
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The invention relates to a method for controlling the monocellular and pluricellular three-phase voltage converters, with the impulse discontinuous modulation in time, said method consisting in a first stage when, for a period of the reference voltage, there are defined 12 areas each having 30°el.., wherein every two of the reference line voltages, by 60°el. dephased, have the same sign, and for each of the 12 areas there is determined the conduction time for the transistors of the first cells (T1, T11, T4, T41, T7 and T71) from each arm of the converter bridge, and a second stage when there are calculated the control moments for the transistors of the other cells (Tj, Tj1, where j=2, 3, 5, 6, 8, 9) imbricated on the same arm, by dephasing the control moments of the first cells. Invenţia se referă la o metodă de comandă pentru convertoarele trifazate de tensiune, monocelulare şi multicelulare, cu modularea discontinuă a impulsurilor în durată, constând într-o primă etapă în care se determină, pentru o perioadă a tensiunii de referinţă, 12 sectoare de câte 30°el. fiecare, în care două câte două tensiunile de linie de referinţă, defazate cu 60°el., să aibă acelaşi semn, şi pentru fiecare din cele 12 sectoare se determină duratele de conducţie pentru tranzistoarele primelor celule (T, T, T, T, Tşi T) din fiecare braţ al punţii convertorului, şi o a doua etapă în care se calculează momentele de comandă pentru tranzistoarele celorlalte celule (T, T, unde j = 2, 3, 5, 6, 8, 9) imbricate pe acelaşi braţ, prin defazarea momentelor de comandă ale primelor celule.