STRUCTURE PRODUCTION METHOD OF PLANAR-EPITAXIAL DIODE FOR HIGH PUNCH

Inventia sse refera la un procedeu pentru realizarea structurii diodei planar - epitaxiale, utilizata în aplicatii care necesita tensiuni de lucru sporite sau caracteristica de strapungere corespunzatoare strapungerii în volum, utila în aplicatii care impun regim de lucru în polarizare inversa (detectoare de radiatie, optoelectronice etc). Procedeul, conform inventiei, consta în aplicarea mastii inelului de garda pe plachete de siliciu, înainte de cresterea epitaxiala, pentru a delimita insule de bioxid de siliciu, cresterea concomitenta a volumelor de siliciu monocristalin, precum si a celor de polisiliciu pentru inelul de garda, realizareaunor surse locale de difuzie de tip p + + în polisiliciu si de tip p+ în siliciu monocristalin prin implantari ionice, astfel încât implantarea sa aiba loc si în volumele surselor de difuzie, utilizând ca masca straturi de fotorezist, aplicate succesiv pe stratul de bioxid de siliciu crescut la temperaturi joase (<1000 degree C ) si cu grosime de ~ 1000 Angstromi, pentru a servi ca protectie la implantare, la asigurarea stabilitatii fata de radiatie si ca strat antireflectant, în functie de aplicatie si realizarea, în final, a stratului dopat la siliciu monocristalin al inelului de garda prin difuzie simultana, pasivarea structurii realizându-se prin depunerea ulterioara a unui strat dielectric.