POWER DIODE WITH SILICON OF MESA TYPE PRODUCTION METHOD

POWER DIODE WITH SILICON OF MESA TYPE PRODUCTION METHOD

Prezenta inventie se refera la un procedeu pentru realizarea prin corodare MESA a structurilor de diode de putere care sunt utilizate în domeniul microundelor. Procedeul, conform inventiei consta în obtinerea structurii diodelor prin corodare chimica în plasma anzitropa a unor ziduri de siliciu poli...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: POSTOLACHE CONSTANTIN, GAISEANU FLORIN
Format: Patent
Sprache:eng ; rum
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Prezenta inventie se refera la un procedeu pentru realizarea prin corodare MESA a structurilor de diode de putere care sunt utilizate în domeniul microundelor. Procedeul, conform inventiei consta în obtinerea structurii diodelor prin corodare chimica în plasma anzitropa a unor ziduri de siliciu policristalin depuse simultan cu un volum de siliciu monocristalin, în care se executa, ulterior epitaxiei, difuzia pentru obtinerea jonctiunii p + + , a diodei de putere.