PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA
A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕ...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | por |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | KATHARINA LORENZ MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA |
| description | A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕES, AO LONGO DE UMA DIREÇÃO NÃO-PARALELA AO REFERIDO PLANO DE CLIVAGEM, COM UMA ENERGIA NA GAMA DE 10-4000 KEV, UM FLUXO NA GAMA DE 1X1012-1X1014 IÕES/CM2.S E UMA FLUÊNCIA NA GAMA DE 1X1013-1X1016 IÕES/CM2, COM FORMAÇÃO DE, PELO MENOS, UM ROLO; B) SUBMETER O, PELO MENOS UM, ROLO FORMADO NO PASSO A) A UM TRATAMENTO TÉRMICO A UMA TEMPERATURA IGUAL OU SUPERIOR A 500 ºC.
The present invention relates to a process for the production of membranes of submicrometric thickness and rolls of Ga2O3 comprising the steps of: a) implanting ions in a monocrystal semiconductor of Ga2O3, with a cleavage plane parallel to the surface, at a temperature below 500°C, making an ion beam to strike, along a non-parallel direction to the referred cleavage plane, with an energy in the range of 10-4000 keV, a flux in the range of 1×1012-1×1014 ions/cm2.s and a fluence in the range of 1×1013-1×1016 ions/cm2, forming at least one roll; b) subjecting the at least one roll formed in step a) to a thermal treatment at a temperature equal to or greater than 500°C. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_PT117063B</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>PT117063B</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_PT117063B3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZIgNCPJ3dg0O9ldwcVUAsl1CD7cfbgbzgvx9_BVcFXxdfZ2CHP0cFYJDnXw9nYP8fQ93hgR5OjuC1Lg7GvkbKwT4Byl4-gb4OPqFOEK0ex6e7AdUwsPAmpaYU5zKC6W5GeTcXEOcPXRTC_LjU4sLEpNT81JL4gNCDA3NDcyMnYwJKgAAmQY1bA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA</title><source>esp@cenet</source><creator>KATHARINA LORENZ ; MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES ; EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES ; JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</creator><creatorcontrib>KATHARINA LORENZ ; MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES ; EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES ; JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</creatorcontrib><description>A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕES, AO LONGO DE UMA DIREÇÃO NÃO-PARALELA AO REFERIDO PLANO DE CLIVAGEM, COM UMA ENERGIA NA GAMA DE 10-4000 KEV, UM FLUXO NA GAMA DE 1X1012-1X1014 IÕES/CM2.S E UMA FLUÊNCIA NA GAMA DE 1X1013-1X1016 IÕES/CM2, COM FORMAÇÃO DE, PELO MENOS, UM ROLO; B) SUBMETER O, PELO MENOS UM, ROLO FORMADO NO PASSO A) A UM TRATAMENTO TÉRMICO A UMA TEMPERATURA IGUAL OU SUPERIOR A 500 ºC.
The present invention relates to a process for the production of membranes of submicrometric thickness and rolls of Ga2O3 comprising the steps of: a) implanting ions in a monocrystal semiconductor of Ga2O3, with a cleavage plane parallel to the surface, at a temperature below 500°C, making an ion beam to strike, along a non-parallel direction to the referred cleavage plane, with an energy in the range of 10-4000 keV, a flux in the range of 1×1012-1×1014 ions/cm2.s and a fluence in the range of 1×1013-1×1016 ions/cm2, forming at least one roll; b) subjecting the at least one roll formed in step a) to a thermal treatment at a temperature equal to or greater than 500°C.</description><language>por</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F ; CRYSTAL GROWTH ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INORGANIC CHEMISTRY ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20221108&DB=EPODOC&CC=PT&NR=117063B$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20221108&DB=EPODOC&CC=PT&NR=117063B$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KATHARINA LORENZ</creatorcontrib><creatorcontrib>MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES</creatorcontrib><creatorcontrib>EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES</creatorcontrib><creatorcontrib>JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</creatorcontrib><title>PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA</title><description>A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕES, AO LONGO DE UMA DIREÇÃO NÃO-PARALELA AO REFERIDO PLANO DE CLIVAGEM, COM UMA ENERGIA NA GAMA DE 10-4000 KEV, UM FLUXO NA GAMA DE 1X1012-1X1014 IÕES/CM2.S E UMA FLUÊNCIA NA GAMA DE 1X1013-1X1016 IÕES/CM2, COM FORMAÇÃO DE, PELO MENOS, UM ROLO; B) SUBMETER O, PELO MENOS UM, ROLO FORMADO NO PASSO A) A UM TRATAMENTO TÉRMICO A UMA TEMPERATURA IGUAL OU SUPERIOR A 500 ºC.
The present invention relates to a process for the production of membranes of submicrometric thickness and rolls of Ga2O3 comprising the steps of: a) implanting ions in a monocrystal semiconductor of Ga2O3, with a cleavage plane parallel to the surface, at a temperature below 500°C, making an ion beam to strike, along a non-parallel direction to the referred cleavage plane, with an energy in the range of 10-4000 keV, a flux in the range of 1×1012-1×1014 ions/cm2.s and a fluence in the range of 1×1013-1×1016 ions/cm2, forming at least one roll; b) subjecting the at least one roll formed in step a) to a thermal treatment at a temperature equal to or greater than 500°C.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIgNCPJ3dg0O9ldwcVUAsl1CD7cfbgbzgvx9_BVcFXxdfZ2CHP0cFYJDnXw9nYP8fQ93hgR5OjuC1Lg7GvkbKwT4Byl4-gb4OPqFOEK0ex6e7AdUwsPAmpaYU5zKC6W5GeTcXEOcPXRTC_LjU4sLEpNT81JL4gNCDA3NDcyMnYwJKgAAmQY1bA</recordid><startdate>20221108</startdate><enddate>20221108</enddate><creator>KATHARINA LORENZ</creator><creator>MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES</creator><creator>EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES</creator><creator>JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20221108</creationdate><title>PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA</title><author>KATHARINA LORENZ ; MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES ; EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES ; JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_PT117063B3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>por</language><creationdate>2022</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KATHARINA LORENZ</creatorcontrib><creatorcontrib>MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES</creatorcontrib><creatorcontrib>EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES</creatorcontrib><creatorcontrib>JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KATHARINA LORENZ</au><au>MARCO ANTÓNIO BAPTISTA PERES</au><au>EDUARDO JORGE DA COSTA ALVES</au><au>JORGE MANUEL VARELAS DA ROCHA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA</title><date>2022-11-08</date><risdate>2022</risdate><abstract>A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕES, AO LONGO DE UMA DIREÇÃO NÃO-PARALELA AO REFERIDO PLANO DE CLIVAGEM, COM UMA ENERGIA NA GAMA DE 10-4000 KEV, UM FLUXO NA GAMA DE 1X1012-1X1014 IÕES/CM2.S E UMA FLUÊNCIA NA GAMA DE 1X1013-1X1016 IÕES/CM2, COM FORMAÇÃO DE, PELO MENOS, UM ROLO; B) SUBMETER O, PELO MENOS UM, ROLO FORMADO NO PASSO A) A UM TRATAMENTO TÉRMICO A UMA TEMPERATURA IGUAL OU SUPERIOR A 500 ºC.
The present invention relates to a process for the production of membranes of submicrometric thickness and rolls of Ga2O3 comprising the steps of: a) implanting ions in a monocrystal semiconductor of Ga2O3, with a cleavage plane parallel to the surface, at a temperature below 500°C, making an ion beam to strike, along a non-parallel direction to the referred cleavage plane, with an energy in the range of 10-4000 keV, a flux in the range of 1×1012-1×1014 ions/cm2.s and a fluence in the range of 1×1013-1×1016 ions/cm2, forming at least one roll; b) subjecting the at least one roll formed in step a) to a thermal treatment at a temperature equal to or greater than 500°C.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | por |
| recordid | cdi_epo_espacenet_PT117063B |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-25T06%3A11%3A10IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KATHARINA%20LORENZ&rft.date=2022-11-08&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EPT117063B%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |