PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 POR IMPLANTAÇÃO IÓNICA

A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO DE PRODUÇÃO DE ROLO E MEMBRANA SUBMICROMÉTRICA DE GA2O3 COMPREENDENDO OS PASSOS DE: A) IMPLANTAR IÕES NUM MONOCRISTAL SEMICONDUTOR DE GA2O3, COM UM PLANO DE CLIVAGEM PARALELO À SUPERFÍCIE, A UMA TEMPERATURA INFERIOR A 500 ºC, FAZENDO INCIDIR UM FEIXE DE IÕES, AO LONGO DE UMA DIREÇÃO NÃO-PARALELA AO REFERIDO PLANO DE CLIVAGEM, COM UMA ENERGIA NA GAMA DE 10-4000 KEV, UM FLUXO NA GAMA DE 1X1012-1X1014 IÕES/CM2.S E UMA FLUÊNCIA NA GAMA DE 1X1013-1X1016 IÕES/CM2, COM FORMAÇÃO DE, PELO MENOS, UM ROLO; B) SUBMETER O, PELO MENOS UM, ROLO FORMADO NO PASSO A) A UM TRATAMENTO TÉRMICO A UMA TEMPERATURA IGUAL OU SUPERIOR A 500 ºC. The present invention relates to a process for the production of membranes of submicrometric thickness and rolls of Ga2O3 comprising the steps of: a) implanting ions in a monocrystal semiconductor of Ga2O3, with a cleavage plane parallel to the surface, at a temperature below 500°C, making an ion beam to strike, along a non-parallel direction to the referred cleavage plane, with an energy in the range of 10-4000 keV, a flux in the range of 1×1012-1×1014 ions/cm2.s and a fluence in the range of 1×1013-1×1016 ions/cm2, forming at least one roll; b) subjecting the at least one roll formed in step a) to a thermal treatment at a temperature equal to or greater than 500°C.