PROCESSO, REATOR E SISTEMA PARA A CUSTOMIZAÇÃO DE NANOESTRUTURAS AUTÓNOMAS UTILIZANDO PLASMA DE MICRO-ONDAS

A INVENÇÃO REFERE-SE A UM PROCESSO, REATOR E SISTEMA PARA A CUSTOMIZAÇÃO DE NANOESTRUTURAS AUTÓNOMAS, UTILIZANDO UM AMBIENTE DE PLASMA EXCITADO POR MICRO-ONDAS SUSTENTADAS POR ONDA DE SUPERFÍCIE (OS). DOIS ESCOAMENTOS DISTINTOS SÃO INJETADOS EM DUAS ZONAS DISTINTAS DE UM REATOR DE PLASMA, SENDO O PRIMEIRO ESCOAMENTO (PE) CONSTITUÍDO POR GASES PORTADORES E PELAS NANOESTRUTURAS A CUSTOMIZAR E O SEGUNDO ESCOAMENTO (SE) POR UMA MISTURA DE GASES INERTES, PELO MENOS UM PERCURSOR DO COMPONENTE DOPANTE (PCD) E/OU PELO MENOS UM TIPO DE MICROPARTÍCULAS (MP). O PE É INJETADO NA PARTE (7) DO REATOR E O SE NA PARTE (6). O SE É SUBMETIDO AO CAMPO ELÉTRICO DE UMA ONDA DE SUPERFÍCIE EXCITADA MEDIANTE O USO DE POTÊNCIA MICRO-ONDAS, CRIANDO UM PLASMA QUENTE (8). OS DOIS ESCOAMENTOS JUNTAM-SE NAS ZONAS (4) E (5), ONDE SE FAZ A CUSTOMIZAÇÃO DAS NANOESTRUTURAS ATRAVÉS DA INTERAÇÃO DESTAS COM OS COMPONENTES PROVENIENTES DO SE. The invention relates to a process, reactor and system for the customization of autonomous nanostructures, using a microwave excited plasma environment sustained by surface waves (SW).Two distinct streams are injected into two distinct zones of a plasma reactor, the first stream (FS) being constituted by carrier gases and by the nanostructures to customize and the second stream (SS) by a mixture of inert gases, at least one precursor of the dopant component (PDC) and/or at least one type of microparticles (MP). The FS is injected into part (7) of the reactor and the SS in part (6). The SS is exposed to the electric field of a surface wave excited by using microwave power, creating a hot plasma (8). The two streams join together in zones (4) and (5), where the nanostructures are customized through their interaction with the components coming from the SS.