PROCESSO DE FABRICO DE HETEROJUNÇÕES SEMICONDUTOR COVALENTE/ÓXIDO IÓNICO SEMICONDUTOR E RESPECTIVAS UTILIZAÇÕES NA OPTOELECTRÓNICA

O PRESENTE INVENTO CONSISTE NUMA HETEROJUNÇÃO BASEADA NUM SEMICONDUTOR COVALENTE (25), TIPO P OU N, CRISTALINO, POLICRISTALINO, NANOCRISTALINO OU AMORFO E UM ÓXIDO IÓNICO SEMICONDUTOR MULTICOMPOSTO OU NÃO (26), TIPO P OU N, POLICRISTALINO, NANOCRISTALINO OU AMORFO, E PROCESSOS DE FABRICO ASSOCIADOS À PRODUÇÃO DO ÓXIDO A TEMPERATURAS ENTRE OS 0ºC E OS 150ºC, PARA APLICAÇÕES EM DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS, NOMEADAMENTE CÉLULAS SOLARES. NO PROCESSO DE FORMAÇÃO DA HETEROJUNÇÃO PODE EXISTIR UMA CAMADA FINA (28), ATÉ 10 NM, DE ADAPTAÇÃO ENTRE OS DOIS SEMICONDUTORES CONSTITUÍDA POR UM MATERIAL NANOCRISTALINO, TAL COMO NANOSILÍCIO OU ÓXIDO IÓNICO SEMICONDUTOR MULTICOMPOSTO AMORFO, COMO POR EXEMPLO ÓXIDO DE ÍNDIO E ZINCO COM PERCENTAGENS DE ZINCO NA COMPOSIÇÃO QUE VARIAM ENTRE OS 5% E OS 95%. PARA ALÉM DISSO, O DISPOSITIVO UMA VEZ FORMADO, CONTACTOS METÁLICOS INCLUÍDOS (24), PODE SER RECOZIDO NUMA ATMOSFERA CONTROLADA A TEMPERATURAS ATÉ 200%.