Method of producing GaSb layers on GaAs substrates

Sposób wytwarzania warstw GaSb w technologii MBE na podłożu GaAs, korzystnie o orientacji (100) charakteryzuje się tym, że w końcowym etapie wzrostu warstwy buforowej GaAs korzystnie grubszej lub równej 500 nm redukowana jest prędkość wzrostu warstwy GaAs z prędkości od 900 nm/h - 1100 nm/h do prędkości od 100 nm/h - 150 nm/h w ciągu 6 minut a następnie redukowana jest temperatura podłoża z wartości od 580°C - 600°C do wartości 500°C - 520°C w ciągu 3 minut, po czym wzrost warstwy GaAs jest przerywany przez odcięcie strumienia galu a powierzchnia zwilżana co najmniej 1s arsenem a następnie antymonem co najmniej przez 1 minutę, następnie odbywa się wzrost co najmniej 400 nm warstwy GaSb domieszkowanej berylem z kwasi-liniowym zanikiem poziomu domieszkowania od 1e19 do 1e18, po czym następuje szybki wykładniczy zanik poziomu domieszki berylowej na warstwie o grubości co najmniej 40 nm i kontynuowany jest wzrost czystej warstwy GaSb korzystnie powyżej 1500 nm.