TiO2:ZnO/CuO thin-film photovoltaic cell, target for production of TiO2:ZnO layer of the photovoltaic cell and method of producing the photovoltaic cell

Przedmiotem zgłoszenia jest ogniwo fotowoltaiczne zawierające podłoże szklane z naniesioną cienką warstwą ITO oraz warstwę absorbera, przy czym warstwa absorbera jest warstwą tlenku miedzi (II) CuO. Wspomniane ogniwo fotowoltaiczne składa się z podłoża szklanego z naniesioną cienką warstwą ITO; warstwy emitera w postaci półprzewodnika typu n złożonego z tlenku tytanu (IV) TiO2 i tlenku cynku ZnO, umieszczonej na podłożu szklanym; warstwy bufora miedzianego o grubości od 5 do 15 warstw atomowych, umieszczonej na warstwie emitera; warstwy absorbera w postaci półprzewodnika typu p z tlenku miedzi (II) CuO, umieszczonej na warstwie bufora miedzianego; i warstwy Cu o grubości od 10 do 30 warstw atomowych, stanowiącej przedni kontakt i umieszczonej na warstwie absorbera. Ponadto przedmiotem zgłoszenia są także target Ti-ZnO dla wytwarzania warstwy półprzewodnika typu n złożonego z tlenku tytanu (IV) TiO2 i tlenku cynku ZnO oraz sposób wytwarzania ogniwa fotowoltaicznego, w którym wykorzystuje się target według wynalazku.