Method for chemical extraction of a semiconductor structure and insulation layer from the PLCC, SO, QFP and QFN type electronic components

Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN polega na tym, że proces wydzielenia struktury półprzewodnikowej wykonuje się w dwóch etapach. W pierwszym etapie chemicznie usuwa się podłoże metaliczne podzespołu z zastosowaniem mieszaniny stężonego kwasu azotowego i kwasu siarkowego w proporcji 1 : 2 z dodatkiem kwasu solnego w ilości od 1 do 20 ml na 1 dm3 mieszaniny dla podłoży miedzianych i mosiężnych lub mieszaniny stężonego kwasu azotowego i stężonego kwasu solnego w proporcji HCl : HNO3 : H2O 1 : 1 : 1 dla podłoży aluminiowych w czasie od 15 do 60 sekund, w temperaturze od 90°C do 100°C. W drugim etapie usuwa się kolejne warstwy podzespołu wraz z jego obudową z zastosowaniem mieszaniny kwasu siarkowego i wody utlenionej (30%) w proporcji od 15 : 1 do 10 : 1 z dodatkiem taniny w ilości 5 mg na 1 dm3 mieszaniny, w czasie od 30 sekund do 1 minuty w temperaturze od 90 do 120°C. Następnie podzespół płucze się w acetonie w płuczce ultradźwiękowej przez 15 sekund, przy czym operacje trawienia i płukania w drugim etapie ekstrakcji prowadzi się naprzemiennie, aż do wyekstrahowania krzemowej struktury półprzewodnikowej.