Method and system for measuring the thermal resistance of the bipolar power transistor with the insulated gate

Sposób pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką realizowany w trzech etapach pomiaru charakteryzuje się tym, że w charakterze parametru termoczułego jest wykorzystywane napięcie między wyprowadzeniami bramki i emitera tranzystora. W pierwszym etapie jest wykonyw...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GÓRECKI KRZYSZTOF, ZAR BSKI JANUSZ, GÓRECKI PAWE
Format: Patent
Sprache:eng ; pol
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!