Method and system for measuring the thermal resistance of the bipolar power transistor with the insulated gate

Sposób pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką realizowany w trzech etapach pomiaru charakteryzuje się tym, że w charakterze parametru termoczułego jest wykorzystywane napięcie między wyprowadzeniami bramki i emitera tranzystora. W pierwszym etapie jest wykonywana kalibracja charakterystyki termometrycznej stanowiącej zależność parametru termoczułego od temperatury przy ustalonej wartości prądu kolektora i napięcia między wyprowadzeniami kolektora i emitera tranzystora. W drugim etapie pomiaru tranzystor pracuje w zakresie aktywnym i mierzone są współrzędne trzech punktów pracy tranzystora leżących na liniowym odcinku przy ustalonej zależności napięcia bramka-emiter od napięcia kolektor-emiter przy określonej wartości prądu kolektora. W trzecim etapie pomiaru rezystancja termiczna jest obliczana ze wzoru analitycznego. Układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką, charakteryzuje się tym, że pierwszy zasilacz napięciowy(1)przez pierwszy rezystor (3) jest połączony z emiterem tranzystora (5) Drugi zasilacz napięciowy (2) szeregowo jest połączony z drugim rezystorem (4) oraz amperomierzem(6) zasilając kolektor tranzystora (5). Bramka tranzystora (5) jest połączona z masą układu, a pierwszy woltomierz (7) jest włączony między emiter a bramkę tranzystora (5), zaś drugi woltomierz (8) jest włączony między kolektor a bramkę tranzystora (5). Badany tranzystor umieszczony jest w termostacie (9).