Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grub...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; pol |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | BORYSIEWICZ MICHA |
description | Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_PL403202A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>PL403202A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_PL403202A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqFyjEKwjAUBuAsDqKewXeBQm29gIjioOLg5FLS9k8TCHkhLxG9vQ7uTt_yzdX1gmx5JMOJYuKxDC5MpCly4iJk3WSrBHGS3RPk9RuJOHyD8Xi53oMegUlKLznpjKWaGe0Fq58LtT4e7vtThcgdJOoBAbm7nbd129TNbtP-Hx83OTWg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate</title><source>esp@cenet</source><creator>BORYSIEWICZ MICHA</creator><creatorcontrib>BORYSIEWICZ MICHA</creatorcontrib><description>Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe.</description><language>eng ; pol</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140929&DB=EPODOC&CC=PL&NR=403202A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76292</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140929&DB=EPODOC&CC=PL&NR=403202A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BORYSIEWICZ MICHA</creatorcontrib><title>Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate</title><description>Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqFyjEKwjAUBuAsDqKewXeBQm29gIjioOLg5FLS9k8TCHkhLxG9vQ7uTt_yzdX1gmx5JMOJYuKxDC5MpCly4iJk3WSrBHGS3RPk9RuJOHyD8Xi53oMegUlKLznpjKWaGe0Fq58LtT4e7vtThcgdJOoBAbm7nbd129TNbtP-Hx83OTWg</recordid><startdate>20140929</startdate><enddate>20140929</enddate><creator>BORYSIEWICZ MICHA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140929</creationdate><title>Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate</title><author>BORYSIEWICZ MICHA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_PL403202A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; pol</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BORYSIEWICZ MICHA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BORYSIEWICZ MICHA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate</title><date>2014-09-29</date><risdate>2014</risdate><abstract>Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; pol |
recordid | cdi_epo_espacenet_PL403202A1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
title | Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-28T09%3A46%3A45IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=BORYSIEWICZ%20MICHA&rft.date=2014-09-29&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EPL403202A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |