Method for producing a porous high-resistive layer on a flexible Zno substrate
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grub...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; pol |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania porowatej, wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu. Sposób polega na tym, że najpierw na tymczasowym podłożu, o temperaturze ? 100°C, metodą reaktywnego rozpylania katodowego osadza się cienką polikrystaliczną i porowatą warstwę cynku o grubości 10 nm -10 µm. Rozpylanie katodowe prowadzi się z targetu Zn, w mieszaninie argonu i tlenu. Po zakończeniu osadzania, podłoże tymczasowe z warstwą Zn poddaje się wygrzewaniu w przepływie suchego tlenu o czystości 6 N przez 5-20 minut, w temperaturze 400°C-800°C. Następnie studzi się i na wytworzoną warstwę ZnO nakłada się właściwe podłoże elastyczne, korzystnie polimerowe pokryte uprzednio od strony warstwy ZnO warstwą klejącą. Później dociska się i całość wygrzewa się w temperaturze 60°C-70°C przez 1-10 minut. Następnie chłodzi się do temperatury pokojowej i usuwa się podłoże tymczasowe. |
---|