Method for preparing a semiconductor dispersion mirror

Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania półprzewodnikowego lustra dyspersyjnego, za pomocą niskowymiarowej technologii półprzewodnikowej. W sposobie tym wzrost wszystkich warstw struktury lustra prowadzi się kierując strumienie zawierające osadzane pierwiastki/związki chemiczne na określone miejsce podłoża obracającego się z prędkością 0-100 obr/min. Następnie strukturę chłodzi się z prędkością 3-30°C i osadza się na niej co najmniej jednowarstwową powłokę antyrefleksyjną. Jeżeli lustro wykonuje się w niskowymiarowej technologii MBE, to podczas osadzania struktury lustra według zadanej topografii warstw, strumień zawierający osadzane pierwiastki z komórek efuzyjnych kieruje się na środek podłoża obracającego się z prędkością > 0. Jeżeli lustro wykonuje się w niskowymiarowej technologii MOVPE (MOCVD), to podczas osadzania struktury lustra według zadanej topografii warstw, strumień gazu zawierającego prekursory pierwiastków wchodzących w skład osadzanych materiałów kieruje się nad nieruchome podłoże.