Method for graphene preparation

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania grafenu poprzez jego epitaksję z fazy gazowej na podłożu posiadającym powierzchnię z SiC, charakteryzujący się tym, że proces sublimacji krzemu z podłoża kontroluje się za pomocą przepływu gazu, obojętnego (10) przez reaktor epitaksjalny. Wynalazek obejm...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	STRUPI SKI W ODZIMIERZ
Format:	Patent
Sprache:	eng ; pol
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF CRYSTAL GROWTH INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania grafenu poprzez jego epitaksję z fazy gazowej na podłożu posiadającym powierzchnię z SiC, charakteryzujący się tym, że proces sublimacji krzemu z podłoża kontroluje się za pomocą przepływu gazu, obojętnego (10) przez reaktor epitaksjalny. Wynalazek obejmuje także grafen otrzymany tym sposobem. The present invention relates to a method for manufacturing graphene by vapour phase epitaxy on a substrate comprising a surface of SiC, characterized in that the process of sublimation of silicon from the substrate is controlled by a flow of an inert gas or a gas other than an inert gas through the epitaxial reactor. The invention also relates to graphene obtained by this method.