Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium
W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; pol |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | SIERZPUTOWSKI, LESZEK P GARCZYŃSKI, JERZY DWILIŃSKI, ROBERT DORADZIŃSKI, ROMAN KANBARA, YASUO |
| description | W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym AlxGa1-xN, gdzie 0 |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_PL232211BB1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>PL232211BB1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_PL232211BB13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPD0TS3JyE9RyE9TyE8qSczMy8xLVyjLzynNzcxLzFHIzc_L100uqiwuSczJycxLVcjLLCnKTElVSM7Pg6lOB0mV5vIwsKYl5hSn8kJpbgYFN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvgAHyNjIyNDQycnQ2MilAAA0g01Hg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium</title><source>esp@cenet</source><creator>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P ; GARCZYŃSKI, JERZY ; DWILIŃSKI, ROBERT ; DORADZIŃSKI, ROMAN ; KANBARA, YASUO</creator><creatorcontrib>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P ; GARCZYŃSKI, JERZY ; DWILIŃSKI, ROBERT ; DORADZIŃSKI, ROMAN ; KANBARA, YASUO</creatorcontrib><description><![CDATA[W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym AlxGa1-xN, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<=>1.]]></description><language>eng ; pol</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190531&DB=EPODOC&CC=PL&NR=232211B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190531&DB=EPODOC&CC=PL&NR=232211B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P</creatorcontrib><creatorcontrib>GARCZYŃSKI, JERZY</creatorcontrib><creatorcontrib>DWILIŃSKI, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>DORADZIŃSKI, ROMAN</creatorcontrib><creatorcontrib>KANBARA, YASUO</creatorcontrib><title>Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium</title><description><![CDATA[W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym AlxGa1-xN, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<=>1.]]></description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPD0TS3JyE9RyE9TyE8qSczMy8xLVyjLzynNzcxLzFHIzc_L100uqiwuSczJycxLVcjLLCnKTElVSM7Pg6lOB0mV5vIwsKYl5hSn8kJpbgYFN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUkvgAHyNjIyNDQycnQ2MilAAA0g01Hg</recordid><startdate>20190531</startdate><enddate>20190531</enddate><creator>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P</creator><creator>GARCZYŃSKI, JERZY</creator><creator>DWILIŃSKI, ROBERT</creator><creator>DORADZIŃSKI, ROMAN</creator><creator>KANBARA, YASUO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20190531</creationdate><title>Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium</title><author>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P ; GARCZYŃSKI, JERZY ; DWILIŃSKI, ROBERT ; DORADZIŃSKI, ROMAN ; KANBARA, YASUO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_PL232211BB13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; pol</language><creationdate>2019</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P</creatorcontrib><creatorcontrib>GARCZYŃSKI, JERZY</creatorcontrib><creatorcontrib>DWILIŃSKI, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>DORADZIŃSKI, ROMAN</creatorcontrib><creatorcontrib>KANBARA, YASUO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SIERZPUTOWSKI, LESZEK P</au><au>GARCZYŃSKI, JERZY</au><au>DWILIŃSKI, ROBERT</au><au>DORADZIŃSKI, ROMAN</au><au>KANBARA, YASUO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium</title><date>2019-05-31</date><risdate>2019</risdate><abstract><![CDATA[W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym AlxGa1-xN, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<=>1.]]></abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; pol |
| recordid | cdi_epo_espacenet_PL232211BB1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-26T01%3A19%3A43IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SIERZPUTOWSKI,%20LESZEK%20P&rft.date=2019-05-31&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EPL232211BB1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |