Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium
W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; pol |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym AlxGa1-xN, gdzie 0 |
---|