PROCESS FOR OBTAINING OF BULK MONOCRYSTALLLINE GALLIUM-CONTAINING NITRIDE
Wynalazek obecny dotyczy nowych udoskonaleń w procesie wzrostu kryształów w środowisku nadkrytycznego roztworu zawierającego amoniak, opartych na wykorzystaniu szczególnych mineralizatorów azydkowych i prowadzących do lepszych objętościowych monokryształów azotku pierwiastka Grupy XIII, w szczególno...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; pol |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Wynalazek obecny dotyczy nowych udoskonaleń w procesie wzrostu kryształów w środowisku nadkrytycznego roztworu zawierającego amoniak, opartych na wykorzystaniu szczególnych mineralizatorów azydkowych i prowadzących do lepszych objętościowych monokryształów azotku pierwiastka Grupy XIII, w szczególności objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, przeznaczonego głównie do różnorodnych zastosowań w opartych na azotkach produktach półprzewodnikowych, takich jak różne urządzenia opto-elektroniczne. Wynalazek dotyczy ponadto mineralizatora stosowanego w nadkrytycznym roztworze zawierającym amoniak, który zawiera co najmniej jeden związek wybrany spośród LiN3, NaN3, KN3 oraz CsN3.
The invention relates to new improvements in a process for crystal growth in the environment of supercritical ammonia-containing solution, which are based on use of specific azide mineralizers and result in the improved bulk Group XIII element nitride monocrystals, in particular balk monocrystalline gallium-containing nitride, intended mainly for variety of nitride-based semiconductor products such as various opto-electronic devices. The invention further relates to a mineralizer used for supercritical ammonia-containing solution which comprises at least one compound selected from the group consisting of LiN3, NaN3, KN3, and CsN3. |
---|