Method of production of voluminal mono-crystalline nitride containing gallium

Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego, zawierającego...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DORADZIŃSKI ROMAN, SIERZPUTOWSKI LESZEK P, KANBARA YASUO, GARCZYŃSKI JERZY, DWILIŃSKI ROBERT
Format:	Patent
Sprache:	eng ; pol
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F CRYSTAL GROWTH INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego, zawierającego co najmniej jony metalu alkalicznego (I grupa IUPAC 1989) i jony metalu ziem alkalicznych (II grupa IUPAC 1989), rozpuszcza się materiał źródłowy zwierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal , mającego korzystnie wzór ogólny AlxGa1-xN, gdzie 0