Apparatus for determining the reductivity of iron ore

Urządzenie do oznaczania redukcyjności rud żelaza, posiadające trójstrefowy elektryczny piec pionowy (1) z przełączanym kaskadowym układem regulacji temperatury, retortę (2) z podwójnym płaszczem, w której umieszczona jest badana próbka rudy z termoelementem umieszczonym w środku próbki, wagę (3) do ważenia retorty podczas procesu, instalację podającą gaz redukcyjny do retorty oraz komputer sterujący procesem, posiada szafę (4) i stelaż (5), mieszczące w sobie butle ze sprężonymi gazami, oraz stabilną stalową ramę (6), umieszczoną nad piecem (1), na której znajduje się waga (3) osłonięta od góry osłoną, a od dołu górną ścianą ramy (6). W ramie (6) wykonany jest otwór, przez który przechodzi zaczep układu ważącego, osłonięty stożkowym elementem (16), zaś do pieca (1) przymocowany jest transporter (18) do automatycznego przenoszenia retorty (2). Ponadto do bocznej ściany pieca (1) przymocowany jest boks chłodzący (17), a na bocznej krawędzi ramy (6) umieszczony jest podajnik (16), podtrzymujący przewody gazowe, doprowadzające i odprowadzające gaz do wymiennika ciepła umieszczonego na retorcie (2). The method for forming palladium silicide nanowires consists in the st stage, which involves physical vapor deposition of fullerene (C 60 ) and palladium acetate - precursors of the initial layer, in depositing a composite carbon-palladium film, containing Pd nanograins in the carbon matrix, onto a Si substrate. The following 2 nd stage consists in modifying the composite film by way of chemical vapour deposition, with xylene and temperature as modifying factors. The modification results in the formation of palladium silicide nanowires, subsequently isolated by annealing of the carbon matrix in the air, in limited areas on the Si substrate. The annealing temperature for the carbon matrix does not exceed 750 o C. The process of physical vapor deposition takes place under dynamic vacuum of at least ~10 - Torr and the Si substrate temperature of up to 1 o C, with two separated sources of fullerene (C 60 ) and palladium acetate (PdC 4 H 6 O 4 ) -precursors of the initial layer. The process of chemical vapour deposition takes place under atmospheric pressure and in the flow of argon as a carrier gas for xylene vapours, with the temperature of the modification process of up to 700 o C and duration of up to 60 minutes. (4 claims)