ECL semiconductor laser

Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy ECL, z transmisyjną siatką dyfrakcyjną, umieszczoną w zewnętrznej wnęce rezonansowej. Laser ten ma półprzewodnikowy wzmacniacz optyczny (1) umieszczony w układzie optycznym tworzącym wraz z zewnętrznym zwierciadłem wnękę rezonansową. W laserze...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: MROZIEWICZ BOHDAN
Format: Patent
Sprache:eng ; pol
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!