ECL semiconductor laser
Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy ECL, z transmisyjną siatką dyfrakcyjną, umieszczoną w zewnętrznej wnęce rezonansowej. Laser ten ma półprzewodnikowy wzmacniacz optyczny (1) umieszczony w układzie optycznym tworzącym wraz z zewnętrznym zwierciadłem wnękę rezonansową. W laserze...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; pol |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!