ECL semiconductor laser
Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy ECL, z transmisyjną siatką dyfrakcyjną, umieszczoną w zewnętrznej wnęce rezonansowej. Laser ten ma półprzewodnikowy wzmacniacz optyczny (1) umieszczony w układzie optycznym tworzącym wraz z zewnętrznym zwierciadłem wnękę rezonansową. W laserze...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; pol |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Zusammenfassung: | Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy ECL, z transmisyjną siatką dyfrakcyjną, umieszczoną w zewnętrznej wnęce rezonansowej. Laser ten ma półprzewodnikowy wzmacniacz optyczny (1) umieszczony w układzie optycznym tworzącym wraz z zewnętrznym zwierciadłem wnękę rezonansową. W laserze tym, między wzmacniaczem (1) a zewnętrznym zwierciadłem (10) znajduje się transmisyjna siatka dyfrakcyjna (9), przy czym siatka (9) i zwierciadło (10) umieszczone są na obrotowych platformach, a platforma zwierciadła (10) osadzona jest na ruchomej podstawie (11). |
|---|