Semiconductor laser with external optical cavity
Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy z zewnętrzną wnęką optyczną utworzoną z siatki dyfrakcyjnej oraz zwierciadła. W laserze tym, wzmacniacz (1) osadzony jest na chłodnicy (5) i ma kształt prostopadłościanu, którego tylna ściana (3), prostopadła do osi optycznej lasera zawiera wa...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; pol |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Zusammenfassung: | Przedmiotem wzoru użytkowego jest laser półprzewodnikowy z zewnętrzną wnęką optyczną utworzoną z siatki dyfrakcyjnej oraz zwierciadła. W laserze tym, wzmacniacz (1) osadzony jest na chłodnicy (5) i ma kształt prostopadłościanu, którego tylna ściana (3), prostopadła do osi optycznej lasera zawiera warstwę o niskim współczynniku odbicia, a na przedniej ścianie (4) znajduje się warstwa antyrefleksyjna. Natomiast obszar czynny (2) wzmacniacza (1) usytuowany jest w ognisku quasi cylindrycznej siatki dyfrakcyjnej (8). |
|---|