Fremgangsmåte for fremstilling av kompositter av silisiumkarbid og aluminiumnitrid

Fremgangsmåte for fremstilling av aluminiumnitrid/silisiumkarbid-kompositter, ved at aluminiumkarbid og silisium- nitrid og/eller silisium oppvarmes til reaksjon sammen med nitrogen til en temperatur på minst 1400* C i nærvær av en eller flere medreaktanter og eventuelt stoffer som bindes sammen av...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MOTZFELDT, KETIL, DELMAS, LAURE, BRYNESTAD, JORULF, OEYE, HARALD A
Format: Patent
Sprache:nor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Fremgangsmåte for fremstilling av aluminiumnitrid/silisiumkarbid-kompositter, ved at aluminiumkarbid og silisium- nitrid og/eller silisium oppvarmes til reaksjon sammen med nitrogen til en temperatur på minst 1400* C i nærvær av en eller flere medreaktanter og eventuelt stoffer som bindes sammen av reaksjons- produktet til en kompositt. Det fremstilles kompositter av aluminiumnitrid og silisiumkarbid ved at aluminiumkarbid (A14C3) omsettes med silisiumnitrid (Si3N4) eller silisium (Si). Reaksjonene gjennomføres i en rii- trogenatmosfære. Oksydiske forurensnin- ger og sintringshjelpemidler, så som SiO2 og A12O3 reagerer med A14C3 og ni- trogen under dannelse av SiC, hhv. A1N. Method for the preparation of composites of aluminium nitride and silicon carbide, whereby aluminium carbide and silicon nitride and/or silicon together with nitrogen are heated to a temperature of at least 1400 DEG C in the presence of one or more co-reactants and possibly substances which are bonded together by the reaction product to a composite. Composites of aluminium nitride and silicon carbide are made by reacting aluminium carbide (Al4C3) with silicon nitride (Si3N4) or silicon (Si). The reaction is carried out in an atmosphere of nitrogen. Oxidic contaminants and sintering aids, such as SiO2 and Al2O3 react with Al4C3 and nitrogen to form SiC and AlN, respectively.