Fremgangsmate ved rensing av silisiumkarbid-partikler

Fremgangsmåte ved rensing av partikler av silisiumkarbid for finkornede partikler som henger fast på silisiumkarbid-partiklene, typisk i form av agglomerater av metallpartikler etter produksjon (saging) av silisiumskiver, etter fjerning av eventuelt løsningsmiddel fra partiklene. Partiklene (1) av forurenset silisiumkarbid utsettes først for en mekanisk bearbeiding i et første trinn (2) av rensing i et i og for seg kjent klasseremtstyr, hvor det skilles ut en første grovfraksjon (3) av partikler større enn de opprinnelige partiklene av silisiumkarbid, hvilken første grovfraksjon (3) behandles i en prosess (4) hvor agglomeratene brytes ned uten at det skjer noen knusing av de enkelte korn i agglomeratene og resirkuleres (5) til nevnte første rensetrinn (2), samt en første finfraksjon (6) som går vi dere til et andre rensetrinn (7), idet nevnte andre rensetrinn (7) utføres i et i og for seg kjent klasseremtstyr, hvorfra partiklene av silisiumkarbid kommer ut som en andre grovfraksjon (8), mens forurensningene som skilles fra i det andre rensetrinn kommer ut som en andre finfraksjon (9). Method for cleaning of silicon carbide particles from fine grain particles adhering to said silicon carbide particles, typically in the form of agglomerates of metal particles, subsequent to production (cutting) of silicon wafers and after removal of any present solute or dispersing agent from the particles. The particles (1) of contaminated silicon carbide are firstly exposed to a mechanical treatment in a first step (2) of cleaning in a per se known classifying apparatus where a first coarse fraction (3) of particles, agglomerates, larger than the original silicon carbide particles, are separated out and treated in a process (4) where the agglomerates are broken down to individual grains, without crushing said individual grains, and thereafter recycled (5) to said first step (2) of cleaning. A first fine fraction (6) is discharged from said first step (2) and transferred to a second step (7) of cleaning conducted in a per se known classifying apparatus from which the particles of silicon carbide are discharged in the form of a second coarse fraction (8), while the contaminants separated out in said second step of cleaning, are discharged in the form of a second fine fraction (9).