HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN

HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN

A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN, IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE
Format: Patent
Sprache:dut
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN
IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE
description A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above the wider parts.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_NL165888BB</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>NL165888BB</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_NL165888BB3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqFjr1OAzEMx8vAUAHPgB-gDAiBbnUuvjuXxJGScCexVBVKpwoqlfcXTtShG1Ps_4fzW9-sJ3TDSI7YUmSJ3E-ZZQRPGYgErm2nJqIHQzPmTGKpRfrgHPU5xM8gtGmSwcSprqBLFcizNloCFsRoeAu1fiXrQfAsKeu4EEHKMYT3OUTPI0GQBqBkNJMsvLVVvfRHMky2_lvJNmCZ4IMz4LBwSkovFpJHxYyNyERN62irpaWUEeV-dXvYH8_l4fLerR4Hyv30VE4_u3I-7b_Kd_ndiXt-e-26zpiX_xN_Ii5gVQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN</title><source>esp@cenet</source><creator>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN ; IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</creator><creatorcontrib>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN ; IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</creatorcontrib><description>A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above the wider parts.</description><language>dut</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1980</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19801215&amp;DB=EPODOC&amp;CC=NL&amp;NR=165888B$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,782,887,25573,76557</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19801215&amp;DB=EPODOC&amp;CC=NL&amp;NR=165888B$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN</creatorcontrib><creatorcontrib>IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</creatorcontrib><title>HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN</title><description>A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above the wider parts.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1980</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqFjr1OAzEMx8vAUAHPgB-gDAiBbnUuvjuXxJGScCexVBVKpwoqlfcXTtShG1Ps_4fzW9-sJ3TDSI7YUmSJ3E-ZZQRPGYgErm2nJqIHQzPmTGKpRfrgHPU5xM8gtGmSwcSprqBLFcizNloCFsRoeAu1fiXrQfAsKeu4EEHKMYT3OUTPI0GQBqBkNJMsvLVVvfRHMky2_lvJNmCZ4IMz4LBwSkovFpJHxYyNyERN62irpaWUEeV-dXvYH8_l4fLerR4Hyv30VE4_u3I-7b_Kd_ndiXt-e-26zpiX_xN_Ii5gVQ</recordid><startdate>19801215</startdate><enddate>19801215</enddate><creator>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN</creator><creator>IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19801215</creationdate><title>HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN</title><author>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN ; IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_NL165888BB3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>dut</language><creationdate>1980</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN</creatorcontrib><creatorcontrib>IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN</au><au>IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN</title><date>1980-12-15</date><risdate>1980</risdate><abstract>A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above the wider parts.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language dut
recordid cdi_epo_espacenet_NL165888BB
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-02T16%3A17%3A12IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=IR.%20RIJKERT%20JAN%20NIENHUIS%20TE%20NIJMEGEN&rft.date=1980-12-15&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ENL165888BB%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true