HALFGELEIDERINRICHTING MET EEN HALFGELEIDERLICHAAM BEVATTENDE EEN COLLECTORZONE, EEN BASISZONE EN EEN EMITTERZONE WAARBIJ DE EMITTERZONE TEN MINSTE TWEE STROOKVORMIGE ONDERLING EVENWIJDIGE EMITTERGEBIEDEN BEVAT, DIE UIT AFWISSELEND SMALLERE EN BREDERE DELEN BESTAAN

A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: IR. RIJKERT JAN NIENHUIS TE NIJMEGEN, IR. THEODORUS HUBERTUS JOSEPHUS VAN DEN HURK TE LIEMPDE
Format: Patent
Sprache:dut
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor device having a transistor structure with strip-shaped emitter regions. The emitter regions as well as the intermediate regions of the base zone according to the invention comprise alternately narrower and wider parts, the emitter and base contact windows being provided only above the wider parts.