SATURABLE BRAGG REFLECTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME

Low optical loss and simplified fabrication are achieved by a nonlinear reflector which incorporates one or more semiconductor quantum wells within an n half-wavelengths strain reflief layer (where n is an odd integer greater than zero) that is formed on a standard semiconductor quarter wave stack reflector. Growth of the half-wavelength layer is controlled so that dislocations are formed in sufficient concentration at the interface region to act effectively as non-radiative recombination sources. After saturation, these recombination sources remove carriers in the quantum well before the next round trip of the optical pulse arrives in the laser cavity. The nonlinear reflector in suitable for laser modelocking as the high wavelengths associated with many currently contemplated telecommunications applications and provides, at such wavelengths, an intensity dependent response that permits it to be used for saturable absorption directly in a main oscillating cavity of a laser. Saturation intensity of the nonlinear reflector and thereby related laser modelocking properties can be controlled by disposing the quantum well(s) at a particular position within the strain reflief layer. La presente invencion se refiere a fabricacion simplificada y de baja pérdidaoptica que se logran por un reflector no lineal que incorpora uno o más pozos cuánticos semiconductores dentro de una capa para alivio de tension de n medias longitudes de onda ( en donde n es un entero non mayor a cero) que se forma en un reflector de pila de cuarto de onda semiconductor standard. El crecimiento de la capa del medio de longitud de onda se controla, de manera tal que se forman dislocaciones en concentraciones suficientes en la region de interfase para actuar efectivamente como fuentes recombinantes no radiantes. Después de saturacion, estas fuentes de recombinacion retiran portadores en el pozo cuántico antes que el siguiente viaje redondo del pulso optico llegue a la cavidad láser. El reflector no lineal es adecuado para la fijacion de modo láser a elevadas longitudes de onda asociadas con muchas aplicaciones de telecomunicaciones actualmente contempladas y proporciona a estas longitudes de onda, una respuesta dependiente de intensidad que permite emplear para absorcion saturable directamente en una cavidad oscilante principal de un láser. La intensidad de saturacion de un reflector no lineal y de esta manera propiedades de fijacion de modo láser relacionadas pueden controlarse al disponer e